[发明专利]发光二极管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880060577.8 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111133593B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 姜镇熙;姜智薰;赵晟佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/10;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周祺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种发光二极管装置的制造方法。所述方法包括：在衬底上形成发光二极管；形成围绕所述发光二极管的侧表面的防漏光层；蚀刻所述衬底中与所述发光二极管相对应的区域；以及在所述蚀刻的区域中将波长转换材料结合到所述发光二极管的下部，其中所述波长转换材料包括半导体层，所述半导体层包括量子阱层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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