[发明专利]晶片级测序流通池制造在审
| 申请号： | 201880060724.1 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111295733A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李世峰;龚剑;林彦佑;诚·弗兰克·钟 | 申请（专利权）人： | 深圳华大智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/70;H01L31/02;C12Q1/6869;B81B1/00;B01L3/00;B81B3/00;B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 518083 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成测序流通池的方法包括：提供覆盖有介电层的半导体晶片；并且在所述介电层上形成图案化层。所述图案化层具有差异表面，所述差异表面包括交替的第一表面区域和第二表面区域。所述方法还可以包括：将所述盖晶片附着于所述半导体晶片以形成复合晶片结构，所述复合晶片结构包括多个流通池。然后切割所述复合晶片结构以形成多个管芯。每个管芯包括流通池。所述测序流通池可以包括：入口和出口，在所述图案化层的一部分与所述盖晶片的一部分之间的流动通道。此外，所述方法可以包括对所述测序流通池进行功能化以产生差异表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 级测序 流通 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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