[发明专利]III族氮化物单晶基板有效
| 申请号： | 201880061317.2 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111164242B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 福田真行;永岛徹 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/20;C23C16/02;H01L21/203;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种III族氮化物单晶基板，其为具有主面的III族氮化物单晶基板，主面具有：外侧区域，其距中心的距离相对于从中心至外缘部的距离大于30％；和内侧区域，其距中心的距离相对于从中心至外缘部的距离为30％以下，对于外侧区域中的微拉曼光谱的峰波数的平均值ν |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 单晶基板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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