[发明专利]用钴填充基板特征的方法与设备在审
| 申请号： | 201880061451.2 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111133558A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 侯文婷;雷建新;李靖珠;陶荣 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/285;C23C14/24;H01L21/324;C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 于此提供了用于用钴填充特征的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的方法包括：经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在基板中的特征内沉积第一钴层；及通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将第一钴层的一部分回流到特征中而至少部分地用钴或含钴材料填充特征。PVD腔室可被构造成从设置在PVD腔室中的钴靶材同步地沉积钴或含钴材料在特征内。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 特征 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
