[发明专利]通过虚拟字线的延迟斜升来减少干扰有效

专利信息
申请号: 201880061530.3 申请日: 2018-09-23
公开(公告)号: CN111108562B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: X·于;Y·董 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: G11C16/32 分类号: G11C16/32;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04;H10B41/41
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于减少存储器设备中的选择栅极晶体管和虚拟存储器单元的干扰的存储器设备和相关技术。在一种方法中,在编程循环的预充电阶段之后,相对于编程循环的编程阶段中的数据字线的电压的斜升,延迟虚拟字线的电压的斜升。在整个预充电阶段和编程阶段中,在第二虚拟存储器单元的电压保持在升高的电平的同时,另一种可能的方法延迟了第一虚拟存储器单元的斜升。在另一方面,当选择的数据存储器单元相对靠近存储器串的源极端时使用干扰对策,而当选择的数据存储器单元相对靠近存储器串的漏极端时逐步停止干扰对策。
搜索关键词: 通过 虚拟 延迟 斜升来 减少 干扰
【主权项】:
暂无信息
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