[发明专利]用于混合接合的化学机械抛光在审
| 申请号： | 201880061619.X | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111108592A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | G·G·小方丹;C·曼达拉普;C·E·尤佐;J·A·泰尔 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思粘合技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 技术和方法的代表性具体实施包括用于混合接合的化学机械抛光。所公开的方法包括在基板上沉积和图案化电介质层以在电介质层中形成开口；在电介质层上方和开口的第一部分内沉积阻挡层；以及在阻挡层上方和开口的未被阻挡层占据的第二部分内沉积导电结构，导电结构的在开口的第二部分中的至少一部分耦接或接触基板内的电路。另外，对导电结构进行抛光以显露出阻挡层的沉积在电介质层上方而不是在开口的第二部分中的部分。此外，用选择性抛光对阻挡层进行抛光，以在电介质层上或电介质层处显露出接合表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 混合 接合 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊文萨思粘合技术公司，未经伊文萨思粘合技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880061619.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
