[发明专利]晶圆的双面研磨方法有效
| 申请号： | 201880062429.X | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111295740B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 宫崎裕司 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/08;B24B49/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够抑制是研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均的晶圆的双面研磨方法。本发明的晶圆的双面研磨方法的特征在于，在现批次具有测定研磨前的晶圆的中心厚度的工序(S100)、从既定的范围设定目标GBIR值的工序(S110)、基于下述(1)式算出现批次的研磨时间的工序(S120)、以该算出的研磨时间将晶圆的双面研磨的工序(S130)。(1)式为，现批次的研磨时间＝前批次的研磨时间＋A |
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| 搜索关键词： | 双面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
