[发明专利]编程验证后通过修改两层堆叠体中接口处字线电压来减少编程干扰有效

专利信息
申请号: 201880062642.0 申请日: 2018-09-24
公开(公告)号: CN111183482B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: H-Y·陈;Y·董 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/04;G11C16/10;H10B43/35
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种用于减少对形成在两层堆叠体中的存储器单元的编程干扰的存储器设备以及相关联的技术,其中层之间接口处的存储器单元之间的距离增大。在编程循环中进行验证测试之后,与剩余存储器单元相比,使用不同定时来减小接口存储器单元的字线电压。在一方面,延迟开始减小接口存储器单元的字线电压。在另一方面,将接口存储器单元的字线电压减小到中间电平并保持一时间段,之后进一步减小。在另一方面,以较低速率减小接口存储器单元的字线电压。
搜索关键词: 编程 验证 通过 修改 堆叠 接口 处字线 电压 减少 干扰
【主权项】:
暂无信息
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