[发明专利]处理头、处理系统以及处理基板的局部表面区域的方法有效
| 申请号： | 201880062859.1 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111149064B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 伍威·戴兹;马丁·萨玛约亚 | 申请（专利权）人： | 休斯微科光罩仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02;B05B1/04 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 德国斯特内弗斯佛地奈特凡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理基板的表面区域的处理头，其包括壳体、排放开口、辐射式加热器、等离子源以及出口开口。壳体具有主表面，主表面被配置成邻近欲被处理的基板的表面区域设置且面对基板的表面区域。排放开口位于壳体的主表面中，且能够经由至少部分地形成于壳体中的排放气体路径连接至排放装置。辐射式加热器设置于壳体中，以经由主表面中的辐射开口发出热量辐射。等离子源设置于壳体中，以经由主表面中的等离子离开开口发出等离子射流。出口开口位于壳体的主表面中，且能够经由至少部分地形成于壳体中的气体路径连接至气体源。排放开口的中心、辐射开口的中心、等离子离开开口的中心及出口开口的中心沿主表面的第一方向以上述次序排列。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 以及 局部 表面 区域 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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