[发明专利]具有纳米线的堆叠薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201880063116.6 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN111108606A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 成承训;A.A.沙马;V.H.乐;G.杜威;J.T.卡瓦利罗斯;T.贾尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了薄膜晶体管结构和过程，其包括堆叠纳米线体，以减轻可能在栅极长度缩小到小于100纳米（nm）尺寸时发生的不合期望的短沟道效应，并且降低外部接触电阻。在示例实施例中，所公开的结构采用全环绕栅架构，其中栅极堆叠（包括高k介电体层）包裹在每个堆叠沟道区纳米线（或纳米带）周围以提供改进的静电控制。所得的增加的栅极表面接触面积还提供了改进的传导。附加地，这些薄膜结构可以以纳米线体之间相对小的间隔（例如，1至20 nm）堆叠，以增加集成电路晶体管密度。在一些实施例中，纳米线体可以具有在1至20 nm范围中的厚度以及在5至100 nm范围中的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 堆叠 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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