[发明专利]制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制有效
| 申请号： | 201880063202.7 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111183504B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 巴顿·G·莱恩;彼得·G·文泽克 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述用于提供局部高密度等离子体源的结构、平台和方法，所述局部高密度等离子体源在晶片制造过程中点燃局部气体以提供整体均匀性。这种等离子体源是在处于或高于微波值的射频下操作的谐振结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 过程 中的 局部 等离子体 均匀 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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