[发明专利]光致变装置在审
| 申请号： | 201880063835.8 | 申请日： | 2018-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN111149209A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 布莱恩·阿斯匹灵;夏尼·纳瓦尔;珍·琼格曼;派翠克·图 | 申请（专利权）人： | 弗莱克英纳宝有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;史瞳 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种技术包含：在第一导体图案上形成绝缘体；图案化所述绝缘体以形成绝缘体图案，其让第一导体图案在一或多个穿孔区域中暴露出来；在所述绝缘体图案上形成第二导体图案，其中第二导体图案于所述一或多个穿孔区域中接触所述第一导体图案；在所述一或多个穿孔区域中生成较平坦的形貌轮廓，而让所述第二导体图案在所述一或多个穿孔区域外侧暴露出来；在所述第二导体图案上形成半导体(24)，用于所述第二导体图案与所述半导体间的电荷载子传输；及在所述半导体上沉积第三导体(26)，用于所述第三导体(26)与所述半导体(24)间的电荷载子传输。 | ||
| 搜索关键词： | 光致变 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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