[发明专利]用于非易失性存储设备的自适应编程电压在审
| 申请号： | 201880063948.8 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111164688A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | X.杨;曾怀远;D.杜塔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了用于调整编程设置的装置、系统和方法，该编程设置诸如是一组非易失性存储单元的编程电压，该一组非易失性存储单元诸如是SLC NAND阵列。非易失性存储单元可以布置成多个字线。非易失性存储单元的子集可以被配置为存储编程设置。芯片上控制器可以被配置为从设置子集中读取编程设置，并且使用编程设置将数据写入非易失性存储单元。芯片上控制器可以进一步被配置为确定编程设置导致一个或多个非易失性存储单元的次优编程，并且响应于该确定而将修改后的编程设置存储在设置子集上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性 存储 设备 自适应 编程 电压 | ||
【主权项】：
暂无信息
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