[发明专利]单晶硅的培育方法在审
| 申请号： | 201880063993.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111164241A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 星亮二 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此，提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 培育 方法 | ||
【主权项】：
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