[发明专利]用于改善谐波性能的晶体管布局在审
| 申请号： | 201880064673.X | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111164760A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;G·P·埃姆图尔恩 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种射频集成电路(RFIC)，包括多个多指晶体管，多个多指晶体管包括离散扩散区域并且在重新配置的形状因数内被互连为单个开关晶体管。RFIC还包括源极总线，源极总线具有耦合到多指晶体管的每个源极区域的第一多个源极指，并且具有正交地耦合到第一多个源极指的第二多个源极指。第二多个源极指将离散扩散区域并联耦合。RFIC还包括漏极总线，漏极总线具有耦合到多指晶体管的每个漏极区域的第一多个漏极指，并且具有正交地耦合到第一多个漏极指的第二多个漏极指。第二多个漏极指将离散扩散区域并联电耦合。RFIC还包括多个互连的主体接触，以偏置多指晶体管中的每个多指晶体管的主体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 谐波 性能 晶体管 布局 | ||
【主权项】：
暂无信息
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