[发明专利]制造OLED器件的方法在审
申请号: | 201880064996.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN111149210A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | F.莫内斯杰;U.卡博夫斯基 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;闫小龙 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明描述了一种制造包括OLED(10)和集成负过电压保护二极管(11)的OLED器件(1)的方法,该方法至少包括以下步骤:在载体(12)上沉积第一OLED电极(100)和单独的第二OLED电极接触部(101C),该第二OLED电极接触部(101C)包含第一过电压保护二极管电极(110);沉积有机材料层堆叠(14),以限定OLED(10)的有源区(14OLED)和过电压保护二极管(11)的有源区(14OPD);沉积第二OLED电极(101),以在OLED(10)的有源区(14OLED)和第二OLED电极接触部(101C)上延伸;并且沉积第二过电压保护二极管电极(111),以在过电压保护二极管(11)的有源区(14OPD)和第一OLED电极(100)上延伸。 | ||
搜索关键词: | 制造 oled 器件 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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