[发明专利]在高热条件下提高NAND性能有效
| 申请号： | 201880065782.3 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111201571B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | S·A·琼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本文中公开了用于在高热条件下提高NAND性能的装置和技术。可以获取NAND装置的高温热条件的指示符。可以响应于所述高温热条件来测量所述NAND装置的工作负荷。然后，可以基于所述工作负荷和所述高温热条件修改所述NAND装置的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 高热 条件下 提高 nand 性能 | ||
【主权项】：
暂无信息
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