[发明专利]多层量子点发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880065898.7 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111213247A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 默罕默德·拉马提;马希德·帕勒万尼奈扎得;山姆·施沃维兹 | 申请（专利权）人： | 10644137加拿大公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 加拿大阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种量子点(QD)发光二极管(QLED)器件具有多层有效发射区。该多层有效发射区具有与(n‑1)个量子势垒(QB)层交错的n个QD层，其中n是大于1的正整数，使得每个QB层都夹在两个相邻的QD层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 量子 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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