[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片在审
| 申请号： | 201880065928.4 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111433919A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王雪 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/40;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)在腔(5)中提供表面(2)；B)在腔(5)中提供至少一种有机的第一前驱体(3)和第二前驱体(4)，其中有机的第一前驱体(3)具有气态的III族化合物材料(3)，其中第二前驱体(4)具有气态的含磷的化合物材料(41)；C)将第一和第二前驱体(3，4)在540℃和660℃之间的温度(其中包含边界值)和在30mbar和300mbar之间的压力(其中包含边界值)下外延沉积到腔(5)中的表面(2)上，以形成第一层(12)，所述第一层具有磷化物化合物半导体材料(6)，其中在第二前驱体和第一前驱体(3，4)之间的比例在5和200之间，其中包含边界值，其中所产生的磷化物化合物半导体材料(6)掺杂有碳，其中碳掺杂浓度为至少4×10 |
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| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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