[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201880066551.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111213231B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·博德纳;斯蒂芬·杰森尼戈;弗朗兹·施兰克 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件(10)的方法，包括以下步骤：提供具有主延伸平面的半导体器件(11)，以及在垂直于半导体本体(11)的主延伸平面的垂直方向(z)上从半导体本体(11)的顶侧(13)在半导体本体(11)中形成沟槽(12)。该方法还包括以下步骤：用隔离层(15)涂覆沟槽(12)的内壁(14)、在沟槽(12)内沉积金属化层(16)，以及在沟槽(12)内沉积钝化层(17)，使得沟槽(12)的内部空间(18)没有任何材料，其中，与内部空间(18)相邻的内表面(19)至少局部地被处理为疏水性的。此外，提供了一种半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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