[发明专利]具有带抬升区的栅极的晶体管在审
| 申请号： | 201880068026.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111226306A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在至少一个示例中，晶体管(100)包含半导体(102)、第一漂移层(112)、漏极区(116)、体区(128)、源极区(134)、浅沟槽隔离区(114)、电介质(119)及栅极(120)。所述第一漂移层(112)在所述半导体(102)中形成并且具有第一类型的多数载流子。所述漏极区(116)在所述第一漂移层(112)中形成并且具有所述第一类型的多数载流子。所述体区(128)在所述半导体(102)中形成并且具有第二类型的多数载流子。所述源极区(134)在所述体区(128)中形成并且具有所述第一类型的多数载流子。所述浅沟槽隔离区(114)在所述第一漂移层(112)中形成并且被设置在所述漏极区(116)与所述体区(128)之间。所述电介质(119)在所述半导体(102)上形成，并且所述栅极(120)在所述电介质(119)上方形成且具有抬升区(122)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抬升 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
