[发明专利]肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201880069554.3 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111279490B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 有马润;平林润;藤田实;佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
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