[发明专利]由单晶硅组成的半导体晶片有效
| 申请号： | 201880069572.1 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111279461B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | T·米勒;M·博伊;M·格姆利希;A·扎特勒 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种单晶硅的半导体晶片，所述半导体晶片包括：抛光的正面和背面；剥蚀区，其从抛光的正面向背面延伸至不小于30μm深度；以及与剥蚀区邻近的区域，其包括可生长成BMD的BMD种子，其中，距正面120μm的距离处的BMD密度不小于2×10 |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 组成 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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