[发明专利]高电压漏极延伸式MOS晶体管在审
| 申请号： | 201880070020.2 | 申请日： | 2018-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111279488A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金圣龙;赛特拉曼·西达尔;萨米尔·彭沙尔卡尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置(100)包含位于第一导电类型的半导体衬底(105)内的MOS晶体管(101)。所述晶体管(101)包含位于漏极阱(130)与衬底接触阱(160)之间的主体阱(135)。第二导电类型的掩埋电压阻挡区(155)位于所述衬底(105)内且连接到所述主体阱(135)。所述掩埋电压阻挡区(155)朝向所述衬底接触阱(160)延伸，其中所述衬底(105)的未经修改部分(195)保留在所述电压阻挡区(155)与所述衬底接触阱(160)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 延伸 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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