[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法和电子设备在审
| 申请号： | 201880070336.1 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111295761A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 星博则;西泽贤一;石川喜一;梶川绫子 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 邓珍;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及能够减少由于入射光的反射光引起的疑似信号输出的成像元件、成像元件的制造方法和电子设备。所述成像元件(1)设有：半导体基板(21)，其设有针对各像素的光电转换单元(PD)，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；滤色层(51)，其形成在所述半导体基板上，并且使预定波长的入射光通过；遮光壁(52)，其形成在所述半导体基板上的像素边界处，并且高于所述滤色层；和保护基板(26)，其经由密封树脂(25)配置，并且保护所述滤色层的上表面侧。例如，本技术能够适用于具有CSP结构的成像元件。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 元件 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
