[发明专利]与传输子量子位的超导部分TSV的背侧耦合有效
| 申请号： | 201880070681.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111295678B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | R·O·托帕罗格鲁;S·罗森布拉特;J·B·赫兹博格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06N10/00 | 分类号： | G06N10/00;H10N69/00;H10N60/80;H10N60/10;H10N60/01 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 量子 超导 部分 tsv 耦合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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