[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880071922.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111316406A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 山本文寿 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 不使截止耐压降低而制造碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：在第1导电类型的碳化硅半导体层(2、3、7)的表层部分地形成的第2导电类型的第2扩散层(9)、至少在第2扩散层的表层的一部分形成的第2导电类型的第3扩散层(19)以及在第3扩散层的表层部分地形成的第1导电类型的第4扩散层(11)，第3扩散层比第2扩散层更浅地形成，在剖面视时，第4扩散层形成于第3扩散层内，第3扩散层相对第2扩散层成为非对称。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880071922.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电力变换装置
- 下一篇：用于使医疗工具运动的医疗仪器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
