[发明专利]直接在非晶硅硬掩模上的构图在审
| 申请号： | 201880072073.8 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111316398A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | E.A.德席尔瓦;A.阿塞奥德拉佩纳;N.费力克斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中的本发明包括通过注入非极性疏水性元素来增强非晶硅硬掩模的表面，从而导致非晶硅表面的疏水性增加和抗蚀剂粘附性增加。根据本发明，注入疏水性元素可以包括通过低能量注入和等离子体处理将疏水性元素引入到非晶硅的表面中。注入的疏水性元素可以是硼、氙、氟、磷、其组合或其他疏水性元素。根据本发明，用10‑15％的疏水元素增强了非晶硅的表面，但是在其他实施方案中，可以根据需要调节该组成。然而，在任何情况下，本文的发明包括保持非晶硅硬掩模的整体蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 非晶硅硬掩模上 构图 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880072073.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示设备以及对显示设备进行操作的方法
- 下一篇：统一电子交易管理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
