[发明专利]发热部件在审
| 申请号： | 201880074361.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111357096A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 虻川志向;田口研良;浅木森游;川村隆太郎 | 申请（专利权）人： | 东华隆株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H05B3/02;H05B3/20;H05B3/72 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 桑传标 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高加热器区域内的温度均匀性、并且可以维持耐久性的发热部件。发热部件(1)包括基材部(2)、以及设置在该基材部(2)的外部且通过供电而发热的薄膜加热器(4)。薄膜加热器(4)由热喷涂皮膜形成。薄膜加热器(4)具有配设在基材部(2)的第一端面(2a)上的加热器本体(10)、以及从加热器本体(10)通过基材部(2)的侧面(2c)延设至基材部(2)的第二端面的加热器延设部(11)，加热器延设部(11)的前端部分(11s)是向加热器本体(10)供电的加热器供电部(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 发热 部件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
