[发明专利]自限制生长在审
| 申请号： | 201880074995.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111357083A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 约瑟亚·科林斯;格里芬·肯尼迪;汉娜·班诺克尔;迈克尔·达内克;施卢蒂·维维克·托姆贝尔;帕特里克·A·范克莱姆普特;戈鲁恩·布泰尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了用于在半导体衬底上形成金属膜(如钨(W)及钼(Mo)膜)的方法和装置。所述方法涉及形成还原剂层，然后将该还原剂层暴露于金属前体以将该还原剂层转换为金属层。在某些实施方案中，该还原剂层为含有硅(Si‑)和硼(B‑)的层。所述方法可涉及：在第一衬底温度下形成还原剂层，将衬底温度升高至第二衬底温度，然后在该第二衬底温度下将该还原剂层暴露于该金属前体中。在某些实施方案中，该方法可用于形成无氟钨或钼膜。还提供用于执行所述方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 限制 生长 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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