[发明专利]具有改善的可见光吸收率的氧化物半导体光电晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201880075098.3 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111373563B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 金显栽;卓荣俊;郑周成;文晶玟;崔秀石;柳成必;郑智桓;张起晳 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H10K50/86 | 分类号： | H10K50/86;H10K59/121;H10K50/80;H10K50/30;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 谭天;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了光电晶体管及其的制造方法，光电晶体管具有通过溶液工艺引入至氧化物半导体光电晶体管的缺陷氧化物射线吸收层，或者具有通过形成损伤的界面控制引入至栅绝缘膜与氧化物半导体层之间的界面的缺陷氧化物射线吸收部分，从而使得能够在可见光区域的范围内改善光吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 可见光 吸收率 氧化物 半导体 光电晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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