[发明专利]功率半导体装置、模块及制造方法有效
| 申请号： | 201880075381.6 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111448668B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 樱井直树;池田靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H02M7/48 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够与焊料无关地防止由热应力引起的损坏的功率半导体装置等。栅极布线AL电极(26)(控制电极)以及发射极AL电极(24)(第一铝电极)设置在IGBT(功率半导体元件)的一个面上，AL电极层(20)(第二铝电极)设置在另一个面上。Ni镀层(25)(Ni层)覆盖发射极AL电极(24)。保护膜(28)(第一保护膜)覆盖栅极布线AL电极(26)(控制电极)。Ni镀层(25)(Ni层)以及发射极AL电极(24)(第一铝电极)与保护膜(28)(第一保护膜)分离。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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