[发明专利]含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201880075454.1 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111373072B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 金成基;朴重进;杨炳日;张世珍;朴建柱;朴廷主;丁熙娟;李三东;李相益;金铭云 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/32;C23C16/455;C07F7/10;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 刘晔;王刚 |
| 地址： | 韩国大田广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及含有三甲硅烷基胺化合物的含硅薄膜蒸镀用组合物以及利用其的含硅薄膜的制造方法，更详细地，提供在低温下能够以非常优异的蒸镀速度形成含硅薄膜而能够作为含硅薄膜的前体和显示器的封装材料有效使用的含有三甲硅烷基胺化合物的含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 蒸镀用 组合 利用 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
