[发明专利]在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法在审
| 申请号： | 201880075876.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111406307A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 伊丽莎白·C·斯图尔特;杰弗里·艾伦·韦斯特;托马斯·D·博尼菲尔德;川杰圣;拜伦·洛弗尔·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体晶片上制造厚氧化物特征的方法(400)包含形成(405)具有至少六微米厚度的氧化物层且在所述氧化物层上沉积(410)光致抗蚀剂层。所述氧化物层在给定蚀刻剂的情况下具有第一蚀刻速率X，所述光致抗蚀剂层在所述给定蚀刻剂的情况下具有第二蚀刻速率Y，其中X:Y的比率小于4:1。在蚀刻所述光致抗蚀剂层和所述氧化物层之前，用灰度掩模图案化(415)所述光致抗蚀剂层，所述灰度掩模产生具有与水平线形成小于或等于10度的角度(a)的侧壁的光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 氧化物 特征 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
