[发明专利]使用牺牲导电堆叠来防止腐蚀的方法在审
| 申请号： | 201880076029.4 | 申请日： | 2018-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111418059A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马诺耶·K·贾殷 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在制造集成电路IC芯片的方法中，所述方法开始于通过钝化外涂层(106)打开IC芯片的第一表面上的窗口(108)以暴露铜金属化物层。所述窗口(108)具有侧壁及与所述铜金属化物层相邻的底部。所述方法继续将阻挡导电堆叠(112)沉积在所述钝化外涂层(106)及所述铜金属化物层的暴露部分上，随后将牺牲导电堆叠沉积在所述阻挡导电堆叠(112)上。所述牺牲导电堆叠具有在 |
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| 搜索关键词： | 使用 牺牲 导电 堆叠 防止 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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