[发明专利]磁传感器的制造方法及磁传感器集合体在审

专利信息
申请号: 201880076450.5 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN111406221A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 远藤大三 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/09;G01R33/389;H01L43/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;唐峥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 磁传感器1的制造方法包括下述工序:硬磁体层形成工序,在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103;软磁体层形成工序,在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105,所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件;和硬磁体层充磁工序,沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。
搜索关键词: 传感器 制造 方法 集合体
【主权项】:
暂无信息
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