[发明专利]磁传感器的制造方法及磁传感器集合体在审
申请号: | 201880076450.5 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN111406221A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 远藤大三 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01R33/09;G01R33/389;H01L43/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;唐峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 磁传感器1的制造方法包括下述工序:硬磁体层形成工序,在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103;软磁体层形成工序,在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105,所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件;和硬磁体层充磁工序,沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。 | ||
搜索关键词: | 传感器 制造 方法 集合体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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