[发明专利]半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880077036.6 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111566828B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 山本稔;井上直人;为本广昭;堀田芳敬;大竹秀幸 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件的制造方法包含：准备基板(5)上设置有半导体结构的晶片的工序；以及在晶片的基板(5)内的厚度方向上的规定的深度，按规定的间隔距离以第一时间间隔(INT1)脉冲状多次照射激光的工序。在照射激光的工序中，以第一时间间隔(INT1)进行的各激光照射包含：向基板(5)内的厚度方向上的第一聚光位置照射具有第一脉冲能量的第一激光脉冲(LP1)的工序；以及在第一激光脉冲(LP1)的照射后，以比第一时间间隔(INT1)短的3ps～900ps的第二时间间隔(INT2)照射第二激光脉冲(LP2)的工序，其中第二激光脉冲的第二脉冲能量相对于上述第一脉冲能量的强度比设为0.5～1.5。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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