[发明专利]具有改进强度的半导体晶片在审
| 申请号： | 201880077213.0 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111418056A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 克里斯·哈迪曼;荣-槿·李;法比亚·拉杜勒斯库;丹尼尔·纳米希亚;斯科特·托马斯·谢泼德 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘凤迪 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片，包括基底、基底上方的第一钝化层，以及第一钝化层和基底上方的第二钝化层。基底具有由基底终止边缘限定的边界。第一钝化层在基底上方，使得其终止于第一钝化终止边缘，该第一钝化终止边缘从基底终止边缘内移第一距离。第二钝化层在第一钝化层和基底上方，使得其终止于第二钝化终止边缘，该第二钝化终止边缘从基底终止边缘内移第二距离。第二距离小于第一距离，使得第二钝化层与第一钝化层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 强度 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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