[发明专利]先进纳米结构的测量方法在审
| 申请号： | 201880077785.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111433899A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | M·源;P·阿金斯;A·库兹涅佐夫;列-关·里奇·利;N·马尔科娃;P·奥雅吉;M·苏辛西科;H·舒艾卜;胡大为 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可基于来自晶片计量工具的光谱确定结构的参数化几何模型。所述结构可具有几何结构诱发的各向异性效应。可从所述参数化几何模型确定所述结构的色散参数。这可实现用于测量具有诱发不可忽略的各向异性效应的几何结构及与周围结构的相对位置的纳米结构的计量技术。这些技术可用于特性化例如FinFET或及环绕式栅极场效应晶体管的半导体制造中的涉及金属及半导体目标的工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 纳米 结构 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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