[发明专利]化合物半导体基板在审
| 申请号： | 201880077878.1 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111433889A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 大内澄人;铃木悠宜;生川满久;川村启介 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/38;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够容易地控制翘曲的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；AlN(氮化铝)缓冲层，形成于SiC层上；下部复合层，形成于AlN缓冲层上；以及上部复合层，形成于下部复合层上。下部复合层包括：沿上下方向层叠的多个下部Al(铝)氮化物半导体层；以及形成于多个下部Al氮化物半导体层各自之间的下部GaN(氮化镓)层。上部复合层包括沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及形成于多个上部GaN层各自之间的上部Al氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
