[发明专利]用有机前体通过远程等离子体表面处理含硅和碳的膜在审
| 申请号： | 201880078107.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111433893A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 杨晓晅;仲華;吕新亮 | 申请（专利权）人： | 马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 刘文娜;郗名悦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于处理低k介电材料的表面处理工艺。一个示例性实施可包括用于处理工件的方法。工件可包括含硅和碳的膜材料。方法可包括用表面处理工艺处理工件。表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素；将一种或多种烃分子与核素混合以形成包括一种或多种有机自由基的混合物；和在第二腔室中将在工件上的含硅和碳的层暴露于混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 通过 远程 等离子体 表面 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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