[发明专利]磁传感器有效
| 申请号： | 201880078121.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111433620B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 栃下光;坪川雅;堤弘毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一磁性体构件(40)位于比第一磁阻元件的外周缘靠内侧的区域。第二磁阻元件位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域且被第一磁性体构件(40)覆盖，或者位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域且被第二磁性体构件覆盖。第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。在第一导电体部(60)中，第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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