[发明专利]用于工程化衬底上的集成式器件的系统和方法在审
| 申请号： | 201880078683.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111512415A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;迪利普·瑞思布德;奥兹古·阿克塔斯;杰姆·巴斯切里 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄隶凡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在工程化衬底结构上形成多个器件的方法，包括通过以下步骤形成工程化衬底：提供多晶陶瓷芯；利用第一粘附壳包封所述多晶陶瓷芯；利用阻挡层包封所述第一粘附壳；在所述阻挡层上形成键合层；以及形成耦合至所述键合层的实质单晶层。所述方法进一步包括：形成耦合至所述实质单晶层的缓冲层；根据与所述多个器件相关联的需求在所述缓冲层上形成一个或多个III‑V族外延层；以及通过以下步骤在所述衬底上形成所述多个器件：将设置在所述多个器件之间的所述一个或多个III‑V族外延层的一部分移除；以及将设置在所述多个器件之间的所述缓冲层的一部分移除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 工程 衬底 集成 器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
