[发明专利]MI元件的制造方法及MI元件在审
| 申请号： | 201880079165.9 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111448678A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 山本正美;北野一彦;太田宪宏;坂井滋树;沼田清 | 申请（专利权）人： | 日本电产理德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;G01R33/02;H01F41/04;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。 | ||
| 搜索关键词： | mi 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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