[发明专利]用于在低-K材料、铜和/或钴的层的存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及方法在审
| 申请号： | 201880079174.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111465716A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | J·T·V·霍格博姆;柯志正;王哲伟;A·克里普;郑怡萍 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王丹丹;刘金辉 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述一种用于在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及该组合物的对应用途。进一步描述一种用于制造半导体装置的方法，其包括在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下通过使至少一个包含铝化合物的层与所述组合物接触而选择性蚀刻该至少一个包含铝化合物的层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 在下 选择性 蚀刻 包含 化合物 组合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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