[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201880080647.6 | 申请日: | 2018-10-05 |
公开(公告)号: | CN111480225A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 吉田成宏;木本卓也;深井诚一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H03B5/12;H05K9/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种半导体装置,该半导体装置包括通过间隔件以垂直形式设置的多个半导体芯片,其中在半导体芯片之间布置有屏蔽层,所述屏蔽层具有足以吸收从半导体芯片的生成源产生的电磁场辐射的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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