[发明专利]薄膜制造装置及使用神经网络的薄膜制造装置在审
申请号: | 201880081225.0 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN111479952A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 栗城和贵;手冢祐朗;丰高耕平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C14/54;G06N3/02;G06N20/00;H01L21/02;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够形成均匀性高的薄膜的薄膜制造装置。提供一种能够控制薄膜形成中的各种设定条件的薄膜制造装置。在包括处理室、气体供应单元、排气单元、电力供应单元、运算部及控制装置的薄膜制造装置中,气体供应单元对处理室内供应气体,排气单元调整处理室内的压力,电力供应单元对设置在处理室内的电极间施加电压,运算部具有在薄膜形成中使用神经网络进行异常状态的检测及推论的功能,控制装置在薄膜形成中根据检测及推论的结果控制各种设定条件。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 制造 装置 使用 神经网络 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880081225.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:驱入装置
- 下一篇:嵌入式SIM卡的数据访问的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的