[发明专利]半导体处理中的氢化硅烷化有效
| 申请号： | 201880081564.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111492463B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | M·S·托鲁姆;G·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成半导体装置的实例可包含：通过将包含图案化特征的硅结构暴露于含氟化氢HF溶液而在所述硅结构上形成硅氢Si‑H封端表面；及通过将所述Si‑H封端表面暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化执行表面改性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 中的 氢化 硅烷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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