[发明专利]半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201880081712.7 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111492093B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 渡边拓人;土田克之 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/42 | 分类号： | C23C18/42;C23C18/36;C23C18/44;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种半导体晶片，在钝化膜与无电解镀镍被膜的界面产生的空隙得到抑制，且电极焊盘的全部表面被无电解镀镍被膜覆盖。本发明的一个方案的半导体晶片在基板上依次具有：电极焊盘(12)；覆盖基板上表面且具有使电极焊盘露出的开口部的钝化膜(11)；以及在电极焊盘(12)上的无电解镀镍被膜(13)、无电解镀钯被膜(14)和无电解镀金被膜(15)，对于在钝化膜(11)与无电解镀镍被膜(13)的界面存在的空隙，从空隙的前端至电极焊盘的表面为止的长度(x)为0.3μm以上，空隙的宽度(y)为0.2μm以下，且电极焊盘(12)的全部表面被无电解镀镍被膜(13)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
