[发明专利]具有补偿交叉轴效应的磁阻磁场传感器桥在审
| 申请号： | 201880082264.2 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111465868A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | B·恩格尔;P·马瑟 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;刘春元 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种磁阻（MR）磁场传感器系统包括MR磁场传感器桥。MF磁场传感器桥包括感测腿，所述感测腿具有感测元件，所述感测元件具有以第一固定磁化取向的第一层、以及以第一自由磁化取向的第二层，在零施加的磁场下，第一自由磁化取向与第一固定磁化取向正交。MF磁场传感器桥的参考腿并联地以电子方式连接到感测腿。参考腿包括至少一个参考元件，所述参考元件具有以第二固定磁化取向的第三层、以及以第二自由磁化取向的第四层，第二固定磁化取向平行于第一固定磁化取向并且与第一固定磁化取向处于相同的方向上，在零施加的磁场下，第二自由磁化取向平行于第一固定磁化取向。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 交叉 效应 磁阻 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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